STD10P6F6 与 IRFR9024NPBF 区别
| 型号 | STD10P6F6 | IRFR9024NPBF | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-STD10P6F6 | A-IRFR9024NPBF | ||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET P CH 60V 10A DPAK | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 175mΩ@6.6A,10V | ||||||
| 漏源极电压Vds | - | 55V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 38W(Tc) | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||
| FET类型 | - | P-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | TO-252-3 | D-Pak | ||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 连续漏极电流Id | - | 11A | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 350pF @ 25V | ||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 19nC @ 10V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 1,930 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STD10P6F6 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
￥3.718
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1,930 | 当前型号 | ||||||||||
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NTD2955T4G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
±20V 55W(Tj) -55°C~175°C(TJ) 180mΩ@6A,10V P-Channel 60V 12A(Ta) DPAK |
暂无价格 | 127,500 | 对比 | ||||||||||
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NTD2955T4G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
±20V 55W(Tj) -55°C~175°C(TJ) 180mΩ@6A,10V P-Channel 60V 12A(Ta) DPAK |
￥2.233
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15,530 | 对比 | ||||||||||
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IRFR9024NTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 38W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 175mΩ@6.6A,10V P-Channel 55V 11A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IRFR9024NPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 38W(Tc) 175mΩ@6.6A,10V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 55V 11A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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NTD2955T4G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
±20V 55W(Tj) -55°C~175°C(TJ) 180mΩ@6A,10V P-Channel 60V 12A(Ta) DPAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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