首页 > 商品目录 > > > > STD10NM60N代替型号比较

STD10NM60N  与  IPD60R380C6  区别

型号 STD10NM60N IPD60R380C6
唯样编号 A36-STD10NM60N A32-IPD60R380C6
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 550mΩ@4A,10V 380mΩ
上升时间 - 10ns
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 70W 83W
Qg-栅极电荷 - 32nC
栅极电压Vgs ±25V 10V
典型关闭延迟时间 - 110ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-252-3 -
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 10A 10.6A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - XPD60R380
长度 - 6.5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 9ns
典型接通延迟时间 - 15ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 320µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 700pF @ 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 32nC @ 10V
高度 - 2.3mm
库存与单价
库存 2,510 579
工厂交货期 3 - 15天 7 - 14天
单价(含税)
20+ :  ¥4.873
100+ :  ¥4.07
1,250+ :  ¥3.696
2,500+ :  ¥3.421
1+ :  ¥8.6527
25+ :  ¥8.0116
100+ :  ¥7.4182
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD10NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥4.873 

阶梯数 价格
20: ¥4.873
100: ¥4.07
1,250: ¥3.696
2,500: ¥3.421
2,510 当前型号
IPD60R380C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R380C6ATMA1_6.5mm

¥8.6527 

阶梯数 价格
1: ¥8.6527
25: ¥8.0116
100: ¥7.4182
579 对比
IPD60R600C6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R600C6_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
IPD65R420CFDATMA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-251-3短引线,IPak,TO-251AA

暂无价格 0 对比
SPD07N60S5T Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
IPD60R520C6BTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售