STD10NM60N 与 SIHD7N60E-GE3 区别
| 型号 | STD10NM60N | SIHD7N60E-GE3 | ||||||||
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| 唯样编号 | A36-STD10NM60N | A-SIHD7N60E-GE3 | ||||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | Vishay | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 10A DPAK | E-Series N-Channel 600 V 78 W 600 mO 40 nC Surface Mount Power MOSFET - DPAK-3 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | TO-252-3 | TO-252 | ||||||||
| 功率耗散Pd | 70W | 78W(Tc) | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 10A | 7A(Tc) | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V | ||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±30V | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 550mΩ@4A,10V | 600 mOhms @ 3.5A,10V | ||||||||
| Vgs(th) | - | 4V @ 250uA | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±25V | - | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 2,500 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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STD10NM60N | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 N-Channel 70W 550mΩ@4A,10V -55°C~150°C ±25V 600V 10A |
￥4.86
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2,500 | 当前型号 | ||||||||||
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FCD620N60ZF | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
7.3A(Tc) ±20V 89W(Tc) 620m Ohms@3.6A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 600V 7.3A TO-252AA |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IPD80R600P7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
600mΩ 800V 8A DPAK (TO-252) -55°C~150°C N-Channel 2.5V,3.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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SIHD7N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
7A(Tc) N-Channel 600 mOhms @ 3.5A,10V 78W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 600V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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