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STD10NM60N  与  IPD60R600C6ATMA1  区别

型号 STD10NM60N IPD60R600C6ATMA1
唯样编号 A36-STD10NM60N A-IPD60R600C6ATMA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 10A DPAK MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 63W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 550mΩ@4A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 70W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 440pF @ 100V
栅极电压Vgs ±25V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55°C~150°C -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 10A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 200uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 20.5nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 600 毫欧 @ 2.4A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 7.3A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 600V
库存与单价
库存 2,510 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥4.873
100+ :  ¥4.07
1,250+ :  ¥3.696
2,500+ :  ¥3.421
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD10NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥4.873 

阶梯数 价格
20: ¥4.873
100: ¥4.07
1,250: ¥3.696
2,500: ¥3.421
2,510 当前型号
IPD60R380C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R380C6ATMA1_6.5mm

¥8.6527 

阶梯数 价格
1: ¥8.6527
25: ¥8.0116
100: ¥7.4182
579 对比
IPD60R600C6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R600C6_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
IPD65R420CFDATMA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-251-3短引线,IPak,TO-251AA

暂无价格 0 对比
SPD07N60S5T Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
IPD60R520C6BTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比

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