首页 > 商品目录 > > > > STD10N60M2代替型号比较

STD10N60M2  与  SPD08N50C3ATMA1  区别

型号 STD10N60M2 SPD08N50C3ATMA1
唯样编号 A36-STD10N60M2 A-SPD08N50C3ATMA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 表面贴装型 N 通道 600 V 7.5A(Tc) 85W(Tc) DPAK MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 83W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 750pF @ 25V
FET类型 - N 通道
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.9V @ 350uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 32nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 600 毫欧 @ 4.6A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 7.6A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 500V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD10N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
FCD620N60ZF ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

7.3A(Tc) ±20V 89W(Tc) 620m Ohms@3.6A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 600V 7.3A TO-252AA

暂无价格 0 对比
IPD60R750E6BTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPD65R420CFDAATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R420CFDA_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
SPD08N50C3ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPD08N50C3_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
SPD08N50C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPD08N50C3ATMA1_83W 600mΩ 500V 7.6A DPAK (TO-252) N-Channel 2.1V,3.9V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售