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STD10N60M2  与  SPD08N50C3  区别

型号 STD10N60M2 SPD08N50C3
唯样编号 A36-STD10N60M2 A-SPD08N50C3
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 表面贴装型 N 通道 600 V 7.5A(Tc) 85W(Tc) DPAK
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 600mΩ
上升时间 - 5ns
RthJA max - 75.0K/W
栅极电压Vgs - 2.1V,3.9V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK (TO-252)
连续漏极电流Id - 7.6A
工作温度 - -55°C~150°C
配置 - Single
QG (typ @10V) - 32.0 nC
Ptot max - 83.0W
长度 - 6.5mm
下降时间 - 7ns
高度 - 2.3mm
Budgetary Price €€/1k - 0.55
漏源极电压Vds - 500V
Pd-功率耗散(Max) - 83W
典型关闭延迟时间 - 60ns
FET类型 - N-Channel
Pin Count - 3.0Pins
Mounting - SMT
RthJC max - 1.5 K/W
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSC3
典型接通延迟时间 - 6ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD10N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
FCD620N60ZF ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

7.3A(Tc) ±20V 89W(Tc) 620m Ohms@3.6A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 600V 7.3A TO-252AA

暂无价格 0 对比
IPD60R750E6BTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPD65R420CFDAATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R420CFDA_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
SPD08N50C3ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPD08N50C3_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
SPD08N50C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPD08N50C3ATMA1_83W 600mΩ 500V 7.6A DPAK (TO-252) N-Channel 2.1V,3.9V -55°C~150°C

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