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STD10N60M2  与  FCD620N60ZF  区别

型号 STD10N60M2 FCD620N60ZF
唯样编号 A36-STD10N60M2 A-FCD620N60ZF
制造商 STMicroelectronics ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 表面贴装型 N 通道 600 V 7.5A(Tc) 85W(Tc) DPAK 600v, 7.3a, 620mohm, n-ch, dpak
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 620m Ohms@3.6A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 89W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252AA
连续漏极电流Id - 7.3A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
系列 - HiPerFET™,Polar™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1135pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 36nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD10N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
FCD620N60ZF ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

7.3A(Tc) ±20V 89W(Tc) 620m Ohms@3.6A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 600V 7.3A TO-252AA

暂无价格 0 对比
IPD60R750E6BTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPD65R420CFDAATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R420CFDA_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
SPD08N50C3ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPD08N50C3_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
SPD08N50C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPD08N50C3ATMA1_83W 600mΩ 500V 7.6A DPAK (TO-252) N-Channel 2.1V,3.9V -55°C~150°C

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