STD10N60DM2 与 R6009JND3TL1 区别
| 型号 | STD10N60DM2 | R6009JND3TL1 | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-STD10N60DM2 | A33-R6009JND3TL1 | ||||||||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | ROHM Semiconductor | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 8A DPAK | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | TO-252-3 | TO-252-3 | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 9A(Tc) | ||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 600V | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 125W(Tc) | ||||||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±30V | ||||||||||||
| 栅极电荷Qg | - | 22nC@15V | ||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 585mOhms@4.5A,15V | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | 7V@1.38mA | ||||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 2,500 | 97 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 21 - 28天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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STD10N60DM2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
￥4.84
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2,500 | 当前型号 | ||||||||||
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R6009JND3TL1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
9A(Tc) N-Channel 7V@1.38mA 125W(Tc) TO-252-3 -55°C~150°C(TJ) 600V |
￥12.668
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100 | 对比 | ||||||||||
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R6009JND3TL1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
9A(Tc) N-Channel 7V@1.38mA 125W(Tc) TO-252-3 -55°C~150°C(TJ) 600V |
￥12.668
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97 | 对比 | ||||||||||
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R6009JND3TL1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
9A(Tc) N-Channel 7V@1.38mA 125W(Tc) TO-252-3 -55°C~150°C(TJ) 600V |
暂无价格 | 70 | 对比 | ||||||||||
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R6009JND3TL1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
9A(Tc) N-Channel 7V@1.38mA 125W(Tc) TO-252-3 -55°C~150°C(TJ) 600V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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