STD10N60DM2 与 R6009JND3TL1 区别
| 型号 | STD10N60DM2 | R6009JND3TL1 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A36-STD10N60DM2 | A33-R6009JND3TL1 | ||||||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | ROHM Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 8A DPAK | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 封装/外壳 | TO-252-3 | TO-252-3 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 125W(Tc) | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 9A(Tc) | ||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 600V | ||||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±30V | ||||||||||
| 栅极电荷Qg | - | 22nC@15V | ||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 585mOhms@4.5A,15V | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | 7V@1.38mA | ||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 2,468 | 97 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 28 - 35天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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STD10N60DM2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
￥5.496
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2,468 | 当前型号 | ||||||||
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R6009JND3TL1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
9A(Tc) N-Channel 7V@1.38mA 125W(Tc) TO-252-3 -55°C~150°C(TJ) 600V |
￥12.668
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100 | 对比 | ||||||||
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R6009JND3TL1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
9A(Tc) N-Channel 7V@1.38mA 125W(Tc) TO-252-3 -55°C~150°C(TJ) 600V |
￥12.668
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97 | 对比 | ||||||||
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R6009JND3TL1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
9A(Tc) N-Channel 7V@1.38mA 125W(Tc) TO-252-3 -55°C~150°C(TJ) 600V |
暂无价格 | 70 | 对比 | ||||||||
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R6009JND3TL1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
9A(Tc) N-Channel 7V@1.38mA 125W(Tc) TO-252-3 -55°C~150°C(TJ) 600V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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