STB80NF10T4 与 AUIRFS4610 区别
| 型号 | STB80NF10T4 | AUIRFS4610 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-STB80NF10T4 | A-AUIRFS4610 | ||||
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFS4610, 73 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装 | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 宽度 | - | 11.3mm | ||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||
| 引脚数目 | - | 3 | ||||
| 最小栅阈值电压 | - | 2V | ||||
| 电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs | - | 10V | ||||
| 封装/外壳 | TO-263-3 | D2PAK | ||||
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 73A | ||||
| 长度 | - | 10.67mm | ||||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | - | 10V | ||||
| 每片芯片元件数目 | - | 1 Ohms | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | - | 4V @ 100µA | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 3550pF | ||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 14mΩ | ||||
| 高度 | - | 4.83mm | ||||
| 类别 | - | 功率 MOSFET | ||||
| 典型关断延迟时间 | - | 53 ns | ||||
| 功率耗散Pd | - | 190W | ||||
| 晶体管材料 | - | Si | ||||
| 晶体管配置 | - | 单 | ||||
| 电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds | - | 50V | ||||
| 系列 | - | HEXFET | ||||
| 典型接通延迟时间 | - | 18 ns | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 140nC | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 404 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价(含税) |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STB80NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
¥10.104
|
404 | 当前型号 | ||||||
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AUIRFS4610 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) 73A 14mΩ 190W 车规 D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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BUK7610-100B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 10mΩ@10V 300W 175°C 3V 100V 110A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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PSMN016-100BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 16mΩ@10V 148W 175°C 3V 100V 57A |
¥6.0514
|
0 | 对比 | ||||||
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PSMN015-100B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 15mΩ@10V 300W 175°C 3V 100V 75A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IRFS59N10DPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 3.8W(Ta),200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 25mΩ@35.4A,10V N-Channel 100V 59A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |