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STB75NF75LT4  与  IPB80N06S2L09ATMA2  区别

型号 STB75NF75LT4 IPB80N06S2L09ATMA2
唯样编号 A36-STB75NF75LT4 A-IPB80N06S2L09ATMA2
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 190W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2620pF @ 25V
FET类型 - N 通道
封装/外壳 TO-263-3 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 125uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 105nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 175°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 8.2 毫欧 @ 52A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 80A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 55V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB75NF75LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 当前型号
IRF1010NSTRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 180W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 11mΩ@43A,10V N-Channel 55V 85A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRF3808STRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 75V 106A(Tc) ±20V 200W(Tc) 7mΩ@82A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK

暂无价格 0 对比
PSMN012-80BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN012-80BS_SOT404 N-Channel 148W 175℃ 3V 80V 74A

¥7.9182 

阶梯数 价格
200: ¥7.9182
400: ¥6.4903
800: ¥5.6437
0 对比
IRFS3607PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9mΩ@46A,10V N-Channel 75V 80A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRL2505SPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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