STB75NF20 与 IRFS4229PBF 区别
| 型号 | STB75NF20 | IRFS4229PBF | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-STB75NF20 | A-IRFS4229PBF | ||||
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | N-Channel 200 V 0.034 Ohm Surfacec Mount STripFET™ Power MosFet - D2PAK | Single N-Channel 250 V 48 mOhm 110 nC 330 W Silicon SMT Mosfet - TO-263-3 | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | - | 330W(Tc) | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 250V | ||||
| 栅极电压Vgs | - | ±30V | ||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | - | D2PAK | ||||
| 工作温度 | - | -40°C~175°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 45A | ||||
| 系列 | - | HEXFET® | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 4560pF @ 25V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 110nC @ 10V | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 4560pF @ 25V | ||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 48mΩ@26A,10V | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 110nC @ 10V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 922 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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STB75NF20 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
￥23.352
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922 | 当前型号 | |||||||
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IRFS4229PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 330W(Tc) -40°C~175°C(TJ) 48mΩ@26A,10V N-Channel 250V 45A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IRFS41N15DTRLP | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 3.1W(Ta) -55°C~175°C(TJ) 45mΩ@25A,10V N-Channel 150V 41A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IRFS4127TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 22mΩ@44A,10V N-Channel 200V 72A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IRFS4127PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 22mΩ@44A,10V N-Channel 200V 72A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IRFS4615TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 144W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 42mΩ@21A,10V N-Channel 150V 33A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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