STB20NM60T4 与 SPB17N80C3 区别
| 型号 | STB20NM60T4 | SPB17N80C3 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-STB20NM60T4 | A-SPB17N80C3 | ||||
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK | MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | - | 227W(Tc) | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 800V | ||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | TO-263-3 | TO-263 | ||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 17A | ||||
| 系列 | - | CoolMOS™ | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3.9V @ 1mA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2300pF @ 100V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 177nC @ 10V | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 290mΩ@11A,10V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 973 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STB20NM60T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
￥23.436
|
973 | 当前型号 | ||||||
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SPB17N80C3 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 227W(Tc) 290mΩ@11A,10V -55°C~150°C TO-263 N-Channel 800V 17A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
AOB15S65L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 650V 30V 15A 208W 290mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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