STB13NM60N 与 AOB11S65 区别
| 型号 | STB13NM60N | AOB11S65 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-STB13NM60N | A-AOB11S65 | ||||
| 制造商 | STMicroelectronics | AOS | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Crss(pF) | - | 1.1 | ||||
| Td(off)(ns) | - | 77 | ||||
| 功率耗散Pd | - | 198W | ||||
| ESD Diode | - | No | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 650V | ||||
| Qrr(nC) | - | 4200 | ||||
| VGS(th) | - | 4 | ||||
| Qgd(nC) | - | 4.3 | ||||
| 栅极电压Vgs | - | 30V | ||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||
| Td(on)(ns) | - | 25 | ||||
| 封装/外壳 | TO-263-3 | TO-263 | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 11A | ||||
| Ciss(pF) | - | 646 | ||||
| Schottky Diode | - | No | ||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 399mΩ@10V | ||||
| Trr(ns) | - | 278 | ||||
| Coss(pF) | - | 42 | ||||
| Qg*(nC) | - | 13.2* | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 998 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STB13NM60N | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
￥10.296
|
998 | 当前型号 | ||||||
|
IPB65R310CFD | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 650V 11.4A 280mΩ 20V 104.2W N-Channel PG-TO263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
AOB11S65 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 650V 30V 11A 198W 399mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
SIHB12N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 12A(Tc) ±30V 147W(Tc) 380m Ohms@6A,10V -55°C~150°C(TJ) D2PAK 600V 12A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
|
SIHB12N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 12A(Tc) ±30V 147W(Tc) 380m Ohms@6A,10V -55°C~150°C(TJ) D2PAK 600V 12A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
