STB10NK60ZT4 与 SIHB12N60E-GE3 区别
| 型号 | STB10NK60ZT4 | SIHB12N60E-GE3 | ||||
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| 唯样编号 | A36-STB10NK60ZT4 | A-SIHB12N60E-GE3 | ||||
| 制造商 | STMicroelectronics | Vishay | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK | E-Series N-Channel 600 V 147 W 0.38 O 58 nC Surface Mount Power Mosfet - D2PAK | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | - | 147W(Tc) | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 600V | ||||
| 栅极电压Vgs | - | ±30V | ||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | TO-263-3 | D2PAK | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 12A | ||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 937pF @ 100V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 58nC @ 10V | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 380m Ohms@6A,10V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 854 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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STB10NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
￥6.612
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854 | 当前型号 | ||||||
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SIHB12N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 12A(Tc) ±30V 147W(Tc) 380m Ohms@6A,10V -55°C~150°C(TJ) D2PAK 600V 12A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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SIHB12N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 12A(Tc) ±30V 147W(Tc) 380m Ohms@6A,10V -55°C~150°C(TJ) D2PAK 600V 12A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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