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SPP11N60C3XKSA1  与  STP13NM60N  区别

型号 SPP11N60C3XKSA1 STP13NM60N
唯样编号 A36-SPP11N60C3XKSA1 A36-STP13NM60N
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3 N-Channel 600 V 11 A 0.36 Ohm Flange Mount MDmesh™ II Power MOSFET-TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 125W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 360mΩ
上升时间 - 8ns
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V -
栅极电压Vgs - 25V
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 11A
配置 - Single
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 380 毫欧 @ 7A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
下降时间 - 10ns
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 90W
典型关闭延迟时间 - 30ns
FET类型 N 通道 -
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 500uA -
系列 - STP13NM60N
通道数量 - 1Channel
25°C时电流-连续漏极(Id) 11A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 650V -
典型接通延迟时间 - 3ns
库存与单价
库存 0 893
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
8+ :  ¥7.051
100+ :  ¥5.643
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