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SPP11N60C3XKSA1  与  AOT20N60L  区别

型号 SPP11N60C3XKSA1 AOT20N60L
唯样编号 A36-SPP11N60C3XKSA1 A-AOT20N60L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 125W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 370mΩ@10A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
栅极电压Vgs - ±30V
封装/外壳 TO-220-3 TO-220
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 20A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 380 毫欧 @ 7A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3680pF
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 417W
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 500uA -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
25°C时电流-连续漏极(Id) 11A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 650V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 74nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SPP11N60C3XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPP11N60C3_TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
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TO-220-3

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阶梯数 价格
8: ¥7.051
100: ¥5.643
893 对比
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