SMUN5311DW1T1G 与 UMD3NTR 区别
| 型号 | SMUN5311DW1T1G | UMD3NTR | ||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-SMUN5311DW1T1G | A32-UMD3NTR | ||||||||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||||||||||
| 描述 | ||||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||
| R2 | - | 10K/10K Ohms | ||||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 150mW | ||||||||||||||||||
| 特征频率fT | - | 250MHz,250MHz | ||||||||||||||||||
| 产品特性 | 带阻/预偏置 | - | ||||||||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | - | 300mV,-300mV | ||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-363-6 | SOT-363 | ||||||||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||||||||||||
| 集电极电流Ic | - | 100mA,-100mA | ||||||||||||||||||
| 集电极-发射极Vceo | - | 50V,-50V | ||||||||||||||||||
| 直流电流增益hFE | - | 30,30 | ||||||||||||||||||
| 晶体管类型 | - | NPN+PNP | ||||||||||||||||||
| R1 | - | 10K/10K Ohms | ||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||
| 库存 | 4,779 | 9,000 | ||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 7 - 14天 | ||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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SMUN5311DW1T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363-6 带阻/预偏置 |
￥0.726
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4,779 | 当前型号 | ||||||||||||
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UMD3NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA NPN+PNP |
￥0.5392
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190,134 | 对比 | ||||||||||||
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UMD3NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA NPN+PNP |
￥0.1812
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15,000 | 对比 | ||||||||||||
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UMD3NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA NPN+PNP |
￥1.2826
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9,000 | 对比 | ||||||||||||
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DCX114EU-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 200mW 50V 100mA NPN+PNP |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||||
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UMD3NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA NPN+PNP |
￥1.1691
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1,435 | 对比 |
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