SMUN5115T1G 与 RN2311(TE85L,F) 区别
| 型号 | SMUN5115T1G | RN2311(TE85L,F) | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-SMUN5115T1G | A33-RN2311(TE85L,F) | ||||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Toshiba | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||||||
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM | |||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 功率 | - | 100 mW | ||||||||||||||
| 不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值) | - | 300mV @ 250uA,5mA | ||||||||||||||
| 产品特性 | - | 带阻/预偏置 | ||||||||||||||
| 产品状态 | - | 在售 | ||||||||||||||
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | - | 100 mA | ||||||||||||||
| 电阻器-基极(R1) | - | 10 kOhms | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | - | SC-70 | ||||||||||||||
| 电压-集射极击穿(最大值) | - | 50 V | ||||||||||||||
| 频率-跃迁 | - | 200 MHz | ||||||||||||||
| 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值) | - | 120 @ 1mA,5V | ||||||||||||||
| 电流-集电极截止(最大值) | - | 100nA(ICBO) | ||||||||||||||
| 晶体管类型 | - | PNP | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 3,000 | 2,740 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SMUN5115T1G | ON Semiconductor | BJT三极管 |
￥0.234
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3,000 | 当前型号 | ||||||||||||
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DTA114GUAT106 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW -50V -100mA -300mV 30 250MHz PNP |
￥0.2703
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2,890 | 对比 | ||||||||||
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DTA114TU3HZGT106 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW -50V -100mA -300mV 100 250MHz 车规 PNP |
￥0.7856
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2,850 | 对比 | ||||||||||
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RN2311(TE85L,F) | Toshiba | 数据手册 | BJT三极管 |
SC-70 PNP 带阻/预偏置 |
￥0.4114
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2,740 | 对比 | ||||||||||
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DDTA114TUA-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
300mV 100 SOT-323 200mW 50V 100mA 250 MHz PNP |
￥0.1995
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1,749 | 对比 | ||||||||||
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DTA114GUAT106 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW -50V -100mA -300mV 30 250MHz PNP |
￥0.7226
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100 | 对比 |
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