SMUN5115T1G 与 DTA114TU3HZGT106 区别
| 型号 | SMUN5115T1G | DTA114TU3HZGT106 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-SMUN5115T1G | A33-DTA114TU3HZGT106 | ||||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||||||
| 描述 | ||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 200mW | ||||||||||||||
| 特征频率fT | - | 250MHz | ||||||||||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | - | -300mV | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | - | SOT-323 | ||||||||||||||
| VCBO | - | -50V | ||||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||||||||
| VEBO | - | -5V | ||||||||||||||
| 集电极连续电流 | - | -100mA | ||||||||||||||
| 直流电流增益hFE | - | 100 | ||||||||||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | - | -50V | ||||||||||||||
| 晶体管类型 | - | PNP | ||||||||||||||
| R1 | - | 10K Ohms | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 3,000 | 2,850 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SMUN5115T1G | ON Semiconductor | BJT三极管 |
￥0.234
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3,000 | 当前型号 | ||||||||||||
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DTA114GUAT106 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW -50V -100mA -300mV 30 250MHz PNP |
￥0.2703
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2,890 | 对比 | ||||||||||
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DTA114TU3HZGT106 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW -50V -100mA -300mV 100 250MHz 车规 PNP |
￥0.7856
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2,850 | 对比 | ||||||||||
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RN2311(TE85L,F) | Toshiba | 数据手册 | BJT三极管 |
SC-70 PNP 带阻/预偏置 |
￥0.4114
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2,740 | 对比 | ||||||||||
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DDTA114TUA-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
300mV 100 SOT-323 200mW 50V 100mA 250 MHz PNP |
￥0.1995
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1,749 | 对比 | ||||||||||
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DTA114GUAT106 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW -50V -100mA -300mV 30 250MHz PNP |
￥0.7226
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100 | 对比 |
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