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SIZ342DT-T1-GE3  与  TLE7263E  区别

型号 SIZ342DT-T1-GE3 TLE7263E
唯样编号 A36-SIZ342DT-T1-GE3 A-TLE7263E
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET CAN接口
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 11.5mΩ -
漏源极电压Vds 1.2V -
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 3.6W,4.3W -
电压 - 电源 - 13.5V
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 WDFN-8 36-BSSOP
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -40°C ~ 150°C
连续漏极电流Id 30A,30A -
接口 - SPI 串行
系列 SIZ TLE7263
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 15V -
工作电源电压 - 5V
电源电压-最小 - 4.5V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 10V -
电源电压-最大 - 5.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIZ342DT-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

3.6W,4.3W -55°C~150°C(TJ) WDFN-8 N-Channel 30A,30A 11.5mΩ 1.2V

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TLE7263E Infineon  数据手册 CAN接口

TLE7263EXUMA2_36-BSSOP 车规

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