SISA88DN-T1-GE3 与 RH6R025BHTB1 区别
| 型号 | SISA88DN-T1-GE3 | RH6R025BHTB1 | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-SISA88DN-T1-GE3 | A-RH6R025BHTB1 | ||||||||||||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | Nch 150V 25A, HSMT8, Power MOSFET | |||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 | HSMT8 | ||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 3.2W(Ta),19.8W(Tc) | 59W | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 16.2A(Ta),40.5A(Tc) | 25A | ||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 150V | ||||||||||||||
| Vgs(最大值) | +20V,-16V | - | ||||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 6.7 mOhms @ 10A,10V | 60mΩ@25A,10V | ||||||||||||||
| Vgs(th) | 2.4V @ 250uA | - | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 5,795 | 45 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 5天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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SISA88DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
16.2A(Ta),40.5A(Tc) N-Channel 6.7 mOhms @ 10A,10V 3.2W(Ta),19.8W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 30V |
￥2.964
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5,795 | 当前型号 | ||||||||||||
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RH6R025BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSMT8 N-Channel 59W 60mΩ@25A,10V -55°C~150°C ±20V 150V 25A |
￥8.6224
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849 | 对比 | ||||||||||||
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RH6R025BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSMT8 N-Channel 59W 60mΩ@25A,10V -55°C~150°C ±20V 150V 25A |
暂无价格 | 80 | 对比 | ||||||||||||
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RH6R025BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSMT8 N-Channel 59W 60mΩ@25A,10V -55°C~150°C ±20V 150V 25A |
￥10.0366
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45 | 对比 |
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