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SIS862DN-T1-GE3  与  RH6L040BGTB1  区别

型号 SIS862DN-T1-GE3 RH6L040BGTB1
唯样编号 A36-SIS862DN-T1-GE3 A33-RH6L040BGTB1
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 60V, 40A, 0.0085 Ohms, PowerPAK 1212-8 Nch 60V 65A, HSMT8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PowerPAK® 1212-8 HSMT8
连续漏极电流Id 40A(Tc) 65A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.5mΩ@20A,10V 7.1mΩ@40A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 3.7W(Ta),52W(Tc) 59W
Vgs(th) 2.6V @ 250uA -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 0 55
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥10.3778
50+ :  ¥5.8453
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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¥10.3778 

阶梯数 价格
20: ¥10.3778
50: ¥5.8453
55 对比
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HSMT8 N-Channel 59W 7.1mΩ@40A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 65A

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RH6L040BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT8 N-Channel 59W 7.1mΩ@40A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 65A

¥4.3403 

阶梯数 价格
840: ¥4.3403
0 对比

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