首页 > 商品目录 > > > > SIS407ADN-T1-GE3代替型号比较

SIS407ADN-T1-GE3  与  AON7407  区别

型号 SIS407ADN-T1-GE3 AON7407
唯样编号 A36-SIS407ADN-T1-GE3 A-AON7407
制造商 Vishay AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 SiS407ADN Series 20 V 0.009 Ohm SMT P-Channel MOSFET - PowerPAK® 1212-8 Single
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 9mΩ@15A,4.5V 9.5mΩ@-14A,-4.5V
漏源极电压Vds 20V -20V
Pd-功率耗散(Max) 3.7W(Ta),39.1W(Tc) 29W
栅极电压Vgs ±8V ±8V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 PowerPAK DFN 3x3 EP
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 16.7A -40A
系列 TrenchFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5875pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 168nC @ 8V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V -
库存与单价
库存 16 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIS407ADN-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±8V 3.7W(Ta),39.1W(Tc) 9mΩ@15A,4.5V -55°C~150°C(TJ) PowerPAK P-Channel 20V 16.7A

暂无价格 16 当前型号
AON7407 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP P-Channel -20V ±8V -40A 29W 9.5mΩ@-14A,-4.5V -55°C~150°C

¥1.408 

阶梯数 价格
40: ¥1.408
100: ¥1.0802
1,250: ¥0.8998
2,195 对比
AON7407 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP P-Channel -20V ±8V -40A 29W 9.5mΩ@-14A,-4.5V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售