首页 > 商品目录 > > > > SIR876ADP-T1-GE3代替型号比较

SIR876ADP-T1-GE3  与  RS6P100BHTB1  区别

型号 SIR876ADP-T1-GE3 RS6P100BHTB1
唯样编号 A36-SIR876ADP-T1-GE3 A3-RS6P100BHTB1
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 14.5 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SOIC-8 Nch 100V 100A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 10.8mΩ 5.9mΩ@90A,10V
漏源极电压Vds 2.8V 100V
Pd-功率耗散(Max) 5W(Ta),62.5W(Tc) 104W
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOIC-8 HSOP8 (Single)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃
连续漏极电流Id 40A 100A
系列 TrenchFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1630pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 49nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
库存与单价
库存 155 50
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
20+ :  ¥4.763
100+ :  ¥3.96
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIR876ADP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 5W(Ta),62.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 40A 10.8mΩ 2.8V

¥4.763 

阶梯数 价格
20: ¥4.763
100: ¥3.96
155 当前型号
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55℃~150℃

¥25.403 

阶梯数 价格
6: ¥25.403
10: ¥15.0636
50: ¥11.2881
100: ¥10.5311
500: ¥9.9562
1,000: ¥9.5824
2,000: ¥9.5058
2,100 对比
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55℃~150℃

¥12.0176 

阶梯数 价格
1: ¥12.0176
10: ¥11.1275
50: ¥10.3031
100: ¥9.54
100 对比
RS6P060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150℃ ±20V 100V 60A

暂无价格 100 对比
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55℃~150℃

¥19.6519 

阶梯数 价格
1: ¥19.6519
100: ¥9.8259
97 对比
RS6P060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150℃ ±20V 100V 60A

¥13.2013 

阶梯数 价格
1: ¥13.2013
100: ¥6.6007
95 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售