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SIR836DP-T1-GE3  与  RS6G120BGTB1  区别

型号 SIR836DP-T1-GE3 RS6G120BGTB1
唯样编号 A36-SIR836DP-T1-GE3 A3-RS6G120BGTB1
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 SiR836DP Series N-Channel 40 V 0.0225 Ohm 15.6 W SMT Mosfet - PowerPAK SO-8 NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PowerPAK® SO-8 HSOP8 (Single)
连续漏极电流Id 21A(Tc) 120A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs 19 mOhms @ 10A,10V 1.34mΩ@90A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 3.9W(Ta),15.6W(Tc) 104W
Vgs(最大值) ±20V -
Vgs(th) 2.5V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 1,869 100
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
20+ :  ¥3.388
100+ :  ¥2.717
750+ :  ¥2.42
1,500+ :  ¥2.288
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIR836DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

21A(Tc) N-Channel 19 mOhms @ 10A,10V 3.9W(Ta),15.6W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55℃~150℃ 40V

¥3.388 

阶梯数 价格
20: ¥3.388
100: ¥2.717
750: ¥2.42
1,500: ¥2.288
1,869 当前型号
RS6G120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 104W 1.34mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 120A

¥14.7378 

阶梯数 价格
20: ¥14.7378
50: ¥10.1957
100: ¥9.6304
300: ¥9.2566
500: ¥9.18
1,000: ¥9.1225
1,604 对比
RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150℃ ±20V 40V 100A

暂无价格 160 对比
RS6G120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 104W 1.34mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 120A

暂无价格 100 对比
RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150℃ ±20V 40V 100A

¥10.1972 

阶梯数 价格
1: ¥10.1972
100: ¥5.0986
100 对比
RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150℃ ±20V 40V 100A

暂无价格 14 对比

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