SIR632DP-T1-RE3 与 RS6R060BHTB1 区别
| 型号 | SIR632DP-T1-RE3 | RS6R060BHTB1 | ||||||||
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| 唯样编号 | A36-SIR632DP-T1-RE3 | A3-RS6R060BHTB1 | ||||||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | Nch 150V 60A, HSOP8, Power MOSFET | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 | HSOP8 (Single) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 29A(Tc) | 60A | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 34.5 mOhms @ 10A,10V | 21.8mΩ@60A,10V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 150V | 150V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 69.5W(Tc) | 104W | ||||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||||||
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 2,900 | 90 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
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SIR632DP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
29A(Tc) N-Channel 34.5 mOhms @ 10A,10V 69.5W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 150V |
￥6.688
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2,900 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
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RS6R060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 60A 150V HSOP8 (Single) 104W ±20V 21.8mΩ@60A,10V -55°C~150°C |
￥27.3099
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1,025 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RS6R060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 60A 150V HSOP8 (Single) 104W ±20V 21.8mΩ@60A,10V -55°C~150°C |
￥18.9871
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95 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RS6R060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 60A 150V HSOP8 (Single) 104W ±20V 21.8mΩ@60A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 90 | 对比 |
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