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SIHP22N60E-GE3  与  STP24N60M2  区别

型号 SIHP22N60E-GE3 STP24N60M2
唯样编号 A36-SIHP22N60E-GE3 A-STP24N60M2
制造商 Vishay STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 E-Series N-Channel 600 V 227 W 0.18 O 86 nC Flange Mount Power Mosfet -TO-220AB MOSFET N-CH 600V 18A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-220-3 TO-220
功率耗散Pd 227W(Tc) -
连续漏极电流Id 21A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C -
漏源极电压Vds 600V -
Vgs(最大值) ±30V -
导通电阻Rds(On) 180 mOhms @ 11A,10V -
Vgs(th) 4V @ 250uA -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 108 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
7+ :  ¥7.464
100+ :  ¥6.324
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIHP22N60E-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

21A(Tc) N-Channel 180 mOhms @ 11A,10V 227W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 600V

¥7.464 

阶梯数 价格
7: ¥7.464
100: ¥6.324
108 当前型号
STP24N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220

暂无价格 18,050 对比
STP24N60DM2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 150W(Tc) 200mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220 N-Channel 600V 18A

暂无价格 3,000 对比
STP24N60DM2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 150W(Tc) 200mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220 N-Channel 600V 18A

¥6.468 

阶梯数 价格
8: ¥6.468
100: ¥5.184
330 对比
STP24N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220

暂无价格 0 对比
STP24N60DM2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 150W(Tc) 200mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220 N-Channel 600V 18A

暂无价格 0 对比

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