SIHP12N60E-GE3 与 STP13NM60N 区别
| 型号 | SIHP12N60E-GE3 | STP13NM60N | ||||||
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| 唯样编号 | A36-SIHP12N60E-GE3 | A36-STP13NM60N-0 | ||||||
| 制造商 | Vishay | STMicroelectronics | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | E-Series N-Channel 600 V 147 W 0.38 O 58 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB | N-Channel 600 V 11 A 0.36 Ohm Flange Mount MDmesh™ II Power MOSFET-TO-220-3 | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散Pd | 147W | 90W | ||||||
| 上升时间 | 19ns | 8ns | ||||||
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V | ||||||
| Qg-栅极电荷 | 29nC | - | ||||||
| 栅极电压Vgs | 4V | 25V | ||||||
| 典型关闭延迟时间 | 35ns | 30ns | ||||||
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220-3 | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||
| 连续漏极电流Id | 12A | 11A | ||||||
| 系列 | E | STP13NM60N | ||||||
| 通道数量 | 1Channel | 1Channel | ||||||
| 配置 | Single | Single | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 937pF @ 100V | - | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 58nC @ 10V | - | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||||||
| 下降时间 | 19ns | 10ns | ||||||
| 典型接通延迟时间 | 14ns | 3ns | ||||||
| 导通电阻Rds(On) | 380mΩ | 360mΩ | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 953 | 64 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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SIHP12N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TO-220-3 12A 147W 380mΩ 600V 4V |
￥6.36
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953 | 当前型号 | ||||||
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STP11NM60 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 2,000 | 对比 | ||||||
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STP10NK60Z | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
￥11.028
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928 | 对比 | ||||||
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STP10NK60Z | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 450 | 对比 | ||||||
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STP11NM60 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
￥8.868
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348 | 对比 | ||||||
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STP13NM60N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A 90W 360mΩ 600V 25V TO-220-3 -55°C~150°C |
￥5.198
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64 | 对比 |
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