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SI9933CDY-T1-GE3  与  DMP2066LSD-13  区别

型号 SI9933CDY-T1-GE3 DMP2066LSD-13
唯样编号 A36-SI9933CDY-T1-GE3 A3-DMP2066LSD-13
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual P-Channel 20 V 0.058 Ohm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SOIC-8 Dual P-Channel 20 V 40 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.1mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 58mΩ@4.8A,4.5V 40mΩ
上升时间 - 9.9ns
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 3.1W 2W
栅极电压Vgs ±12V 12V
典型关闭延迟时间 - 28ns
FET类型 2P-Channel P-Channel
封装/外壳 8-SOIC SOP
连续漏极电流Id 4A 5.8A
工作温度 -50℃~150℃ -55°C~150°C(TJ)
系列 - DMP2066
通道数量 - 2Channel
配置 - Dual
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 820pF @ 15V
长度 - 5.3mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 10.1nC @ 4.5V
下降时间 - 23.4ns
典型接通延迟时间 - 4.4ns
高度 - 1.50mm
库存与单价
库存 16,579 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥1.749
100+ :  ¥1.342
1,250+ :  ¥1.177
2,500+ :  ¥1.111
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI9933CDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

4A 2P-Channel 58mΩ@4.8A,4.5V ±12V 3.1W 8-SOIC -50℃~150℃ 20V

¥1.749 

阶梯数 价格
30: ¥1.749
100: ¥1.342
1,250: ¥1.177
2,500: ¥1.111
16,579 当前型号
DMP2066LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOP 5.8A 2W 40mΩ 20V 12V P-Channel

暂无价格 0 对比
DMP2066LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOP 5.8A 2W 40mΩ 20V 12V P-Channel

暂无价格 0 对比
DMP2066LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOP 5.8A 2W 40mΩ 20V 12V P-Channel

暂无价格 0 对比
BSO207P H Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSO207PHXUMA1_20V 5.7A 32mΩ 12V 2W 2P-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
BSO211P H Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSO211PHXUMA1_20V 4.6A 54mΩ 12V 2W 2P-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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