SI9926CDY-T1-GE3 与 DMG6898LSD-13 区别
| 型号 | SI9926CDY-T1-GE3 | DMG6898LSD-13 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-SI9926CDY-T1-GE3 | A3-DMG6898LSD-13 | ||||||
| 制造商 | Vishay | Diodes Incorporated | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | Dual N-Channel 20 V 0.018 Ohm 3.1 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 | DMG6898LSD Series 20 V 9.5 A Dual N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8 | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | SO | ||||||
| 功率耗散Pd | 3.1W | 1.28W | ||||||
| 连续漏极电流Id | 8A | 9.5A | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.5V @ 250µA | ||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1149pF @ 10V | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 26nC @ 10V | ||||||
| 导通电阻Rds(On) | 18 mOhms @ 8.3A,4.5V | 16mΩ@9.4A,4.5V | ||||||
| Vgs(th) | 1.5V @ 250uA | - | ||||||
| FET类型 | 2N-Channel | N-Channel | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 1,537 | 7,500 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SI9926CDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8A 2N-Channel 18 mOhms @ 8.3A,4.5V 3.1W 8-SOIC -55°C~150°C 20V |
￥5.604
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1,537 | 当前型号 | ||||||||||
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DMG6898LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
16mΩ@9.4A,4.5V 1.28W -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 20V 9.5A |
暂无价格 | 7,500 | 对比 | ||||||||||
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FDS9926A | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
8-SOIC |
￥3.012
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5,947 | 对比 | ||||||||||
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FDS6812A | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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IRF7311TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 29mΩ@6A,4.5V 2W N-Channel 20V 6.6A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IRF7301TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 50mΩ@2.6A,4.5V 2W N-Channel 20V 5.2A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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