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SI7852DP-T1-GE3  与  RS6N120BHTB1  区别

型号 SI7852DP-T1-GE3 RS6N120BHTB1
唯样编号 A36-SI7852DP-T1-GE3 A3-RS6N120BHTB1
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 16.5mΩ@10A,10V 3.3m Ohms
漏源极电压Vds 80V 80V
Pd-功率耗散(Max) 1.9W(Ta) 104W
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOIC-8 HSOP8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 7.6A(Ta) ±135A
系列 SI -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA(最小) -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 41nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA(最小) -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 41nC @ 10V -
库存与单价
库存 8,313 100
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
6+ :  ¥9.185
100+ :  ¥7.975
750+ :  ¥7.26
1,500+ :  ¥6.985
3,000+ :  ¥6.71
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI7852DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

SOIC-8

¥9.185 

阶梯数 价格
6: ¥9.185
100: ¥7.975
750: ¥7.26
1,500: ¥6.985
3,000: ¥6.71
8,313 当前型号
RS6N120BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8

暂无价格 100 对比
RS6N120BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8

¥66.8948 

阶梯数 价格
3: ¥66.8948
10: ¥15.2456
50: ¥10.5215
50 对比
RS6N120BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8

暂无价格 0 对比

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