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SI7850DP-T1-E3  与  Si7850DP  区别

型号 SI7850DP-T1-E3 Si7850DP
唯样编号 A36-SI7850DP-T1-E3 A-Si7850DP-1
制造商 Vishay XBLW
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 22 mOhms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SO-8 类型: N沟道 漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 30A
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PowerPAK® SO-8 DFN5X6-8L
连续漏极电流Id 6.2A(Ta) -
工作温度 -55℃~150℃ -
Rds On(Max)@Id,Vgs 22 mOhms @ 10.3A,10V -
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 1.8W(Ta) -
Vgs(最大值) ±20V -
Vgs(th) 3V @ 250uA -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 8,228 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
8+ :  ¥6.688
100+ :  ¥5.566
750+ :  ¥5.159
1,500+ :  ¥4.906
3,000+ :  ¥4.719
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI7850DP-T1-E3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

6.2A(Ta) N-Channel 22 mOhms @ 10.3A,10V 1.8W(Ta) PowerPAK® SO-8 -55℃~150℃ 60V

¥6.688 

阶梯数 价格
8: ¥6.688
100: ¥5.566
750: ¥5.159
1,500: ¥4.906
3,000: ¥4.719
8,228 当前型号
AO4438 AOS 功率MOSFET

8.2A(Ta) N-Channel ±20V 22 mΩ @ 8.2A,10V 8-SOIC 3.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 60V

暂无价格 0 对比
Si7850DP XBLW  数据手册 功率MOSFET

DFN5X6-8L

暂无价格 5,000 对比
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暂无价格 0 对比

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