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SI7716ADN-T1-GE3  与  IRFHM8337TRPBF  区别

型号 SI7716ADN-T1-GE3 IRFHM8337TRPBF
唯样编号 A36-SI7716ADN-T1-GE3 A-IRFHM8337TRPBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 0.0135 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-1212-8 Single N-Channel 30 V 12.4 mO 5.4 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 13.5 mOhms @ 10A,10V 12.4mΩ@12A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3.5W(Ta),27.7W(Tc) 2.8W(Ta),25W(Tc)
Vgs(th) 2.5V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 PowerPAK® 1212-8 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
连续漏极电流Id 16A(Tc) 12A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 755pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 8.1nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 755pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 8.1nC @ 4.5V
库存与单价
库存 2,209 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥1.947
100+ :  ¥1.551
750+ :  ¥1.397
1,500+ :  ¥1.32
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI7716ADN-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

16A(Tc) N-Channel 13.5 mOhms @ 10A,10V 3.5W(Ta),27.7W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55℃~150℃ 30V

¥1.947 

阶梯数 价格
30: ¥1.947
100: ¥1.551
750: ¥1.397
1,500: ¥1.32
2,209 当前型号
IRFHM8342TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.6W(Ta),20W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 16mΩ@17A,10V N-Channel 30V 10A 8-PQFN(3.3x3.3),Power33

暂无价格 0 对比
IRFHM8337TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.8W(Ta),25W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 12.4mΩ@12A,10V N-Channel 30V 12A 8-PQFN(3.3x3.3),Power33

暂无价格 0 对比

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