SI7658ADP-T1-GE3 与 NTMFS4833NT1G 区别
| 型号 | SI7658ADP-T1-GE3 | NTMFS4833NT1G | ||||||||||
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| 唯样编号 | A36-SI7658ADP-T1-GE3 | A3t-NTMFS4833NT1G | ||||||||||
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 未分类 | ||||||||||
| 描述 | Single N-Channel 30 V 0.0022 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8 | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 功率 | - | 910mW(Ta),125W(Tc) | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2.2 mOhms @ 20A,10V | 2 毫欧 @ 30A,10V | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 5.4W(Ta),83W(Tc) | - | ||||||||||
| Vgs(th) | 2.5V @ 250uA | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 | SO-FL | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 60A(Tc) | 28A | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 5600pF @ 12V | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 88nC @ 11.5V | ||||||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 18,568 | 0 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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SI7658ADP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
60A(Tc) N-Channel 2.2 mOhms @ 20A,10V 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 30V |
￥2.6648
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18,568 | 当前型号 | ||||||||||||
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NTMFS4833NT1G | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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BSC0906NS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
30V 63A 4.5mΩ 10V 30W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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