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SI7617DN-T1-GE3  与  AON7401  区别

型号 SI7617DN-T1-GE3 AON7401
唯样编号 A36-SI7617DN-T1-GE3 A-AON7401
制造商 Vishay AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET PMOS
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 295
零件号别名 SI7617DN-GE3 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 12.3mΩ 14mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 17mΩ
Qgd(nC) - 10
栅极电压Vgs ±25V 25V
Td(on)(ns) - 11
封装/外壳 PowerPak1212-8 DFN 3x3 EP
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 35A -35A
Ciss(pF) - 2060
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 14
Td(off)(ns) - 24
漏源极电压Vds 30V -30V
Pd-功率耗散(Max) 3.7W(Ta),52W(Tc) 29W
Qrr(nC) - 35
VGS(th) - -3
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 SI -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 59nC @ 10V -
Coss(pF) - 370
Qg*(nC) - 30*
库存与单价
库存 61,075 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.003
100+ :  ¥2.398
750+ :  ¥2.145
1,500+ :  ¥2.024
3,000+ :  ¥1.925
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI7617DN-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±25V 3.7W(Ta),52W(Tc) -55°C~150°C(TJ) PowerPak1212-8 P-Channel 30V 35A 12.3mΩ

¥3.003 

阶梯数 价格
20: ¥3.003
100: ¥2.398
750: ¥2.145
1,500: ¥2.024
3,000: ¥1.925
61,075 当前型号
AON7401 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP P-Channel -30V 25V -35A 29W 14mΩ@10V

暂无价格 0 对比
DMG7401SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±25V 940mW(Ta) 11mΩ@12A,20V -55°C~150°C(TJ) PowerDI P-Channel 30V 9.8A

暂无价格 0 对比
AON7401 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP P-Channel -30V 25V -35A 29W 14mΩ@10V

¥2.3793 

阶梯数 价格
5,000: ¥2.3793
0 对比
AON7401 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP P-Channel -30V 25V -35A 29W 14mΩ@10V

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DMG7401SFG-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±25V 940mW(Ta) 11mΩ@12A,20V -55°C~150°C(TJ) PowerDI P-Channel 30V 9.8A

暂无价格 0 对比

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