首页 > 商品目录 > > > > SI7456DDP-T1-GE3代替型号比较

SI7456DDP-T1-GE3  与  RS6P100BHTB1  区别

型号 SI7456DDP-T1-GE3 RS6P100BHTB1
唯样编号 A36-SI7456DDP-T1-GE3 A-RS6P100BHTB1
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Si7456DDP Series N-Channel 100 V 23 mOhm SMT Power Mosfet - PowerPAK-SO-8 Nch 100V 100A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 23mΩ 5.9mΩ@90A,10V
漏源极电压Vds 2.8V 100V
Pd-功率耗散(Max) 5W(Ta),35.7W(Tc) 104W
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOIC-8 HSOP8 (Single)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃
连续漏极电流Id 27.8A 100A
系列 TrenchFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 900pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 29.5nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
库存与单价
库存 25,450 97
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税)
8+ :  ¥6.864
100+ :  ¥5.72
750+ :  ¥5.291
1,500+ :  ¥5.049
3,000+ :  ¥4.851
1+ :  ¥19.6519
100+ :  ¥9.8259
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI7456DDP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 5W(Ta),35.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 27.8A 23mΩ 2.8V

¥6.864 

阶梯数 价格
8: ¥6.864
100: ¥5.72
750: ¥5.291
1,500: ¥5.049
3,000: ¥4.851
25,450 当前型号
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55℃~150℃

¥25.403 

阶梯数 价格
6: ¥25.403
10: ¥15.0636
30: ¥11.2881
50: ¥10.5311
100: ¥9.9562
300: ¥9.5824
500: ¥9.5058
1,000: ¥9.4483
1,980 对比
RS6P060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150℃ ±20V 100V 60A

暂无价格 100 对比
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55℃~150℃

¥19.6519 

阶梯数 价格
1: ¥19.6519
100: ¥9.8259
97 对比
RS6P060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150℃ ±20V 100V 60A

¥13.2013 

阶梯数 价格
1: ¥13.2013
100: ¥6.6007
95 对比
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55℃~150℃

暂无价格 50 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售