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SI7145DP-T1-GE3  与  AON6403  区别

型号 SI7145DP-T1-GE3 AON6403
唯样编号 A36-SI7145DP-T1-GE3 A-AON6403
制造商 Vishay AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 30 V 2.6 mOhms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SO-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.6mΩ 3.1mΩ@-20A,-10V
漏源极电压Vds 30V -30V
Pd-功率耗散(Max) 6.25W(Ta),104W(Tc) 83W
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOIC-8 DFN 5x6
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 60A -85A
系列 TrenchFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 15660pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 413nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
库存与单价
库存 6,331 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
6+ :  ¥8.624
100+ :  ¥7.513
750+ :  ¥6.82
1,500+ :  ¥6.567
3,000+ :  ¥6.27
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI7145DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 6.25W(Ta),104W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 30V 60A 2.6mΩ

¥8.624 

阶梯数 价格
6: ¥8.624
100: ¥7.513
750: ¥6.82
1,500: ¥6.567
3,000: ¥6.27
6,331 当前型号
BSC030P03NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC030P03NS3GAUMA1_-55°C~150°C(TJ) 30V 100A 2.3mΩ 25V 125W P-Channel

暂无价格 0 对比
AON6403 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 P-Channel -30V ±20V -85A 83W 3.1mΩ@-20A,-10V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
AON6403 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 P-Channel -30V ±20V -85A 83W 3.1mΩ@-20A,-10V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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