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SI7110DN-T1-GE3  与  AON7702  区别

型号 SI7110DN-T1-GE3 AON7702
唯样编号 A36-SI7110DN-T1-GE3 A-AON7702
制造商 Vishay AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PowerPAK® 1212-8 8-DFN(3x3)
连续漏极电流Id 13.5A(Ta) 13.5A(Ta),36A(Tc)
工作温度 -55℃~150℃ -55°C ~ 150°C(TJ)
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.3 mOhms @ 21.1A,10V 10 mΩ @ 13.5A,10V
漏源极电压Vds 20V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.5W 3.1W(Ta),23W(Tc)
Vgs(最大值) ±20V -
栅极电荷Qg - 48nC @ 10V
Vgs(th) 2.5V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI7110DN-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

13.5A(Ta) N-Channel 5.3 mOhms @ 21.1A,10V 1.5W PowerPAK® 1212-8 -55℃~150℃ 20V

暂无价格 0 当前型号
AON7702 AOS  数据手册 功率MOSFET

13.5A(Ta),36A(Tc) N-Channel ±20V 10 mΩ @ 13.5A,10V 8-DFN(3x3) 3.1W(Ta),23W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

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