SI7101DN-T1-GE3 与 RQ3E120ATTB 区别
| 型号 | SI7101DN-T1-GE3 | RQ3E120ATTB | ||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-SI7101DN-T1-GE3-1 | A33-RQ3E120ATTB-0 | ||||||||||||||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||||
| 描述 | P-Channel 30 V 52 W 32 nC Surface Mount Power Mosfet - PowerPak 1212-8 | |||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| 宽度 | - | 2.4mm | ||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 7.2mΩ | 8mΩ@-12A,-10V | ||||||||||||||||
| 上升时间 | - | 30ns | ||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 39V | ||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 3.7W(Ta),52W(Tc) | 2W | ||||||||||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 62nC | ||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±25V | ±20V | ||||||||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 140ns | ||||||||||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | PowerPak1212-8 | HSMT | ||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 35A | 12A | ||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||||||||||||||
| 系列 | TrenchFET® | RQ | ||||||||||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 1mA | ||||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3595pF @ 15V | 3200pF @ 15V | ||||||||||||||||
| 长度 | - | 3mm | ||||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 102nC @ 10V | 62nC @ 10V | ||||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V | ||||||||||||||||
| 下降时间 | - | 95ns | ||||||||||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 20ns | ||||||||||||||||
| 高度 | - | 0.85mm | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 22 | 23,995 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
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SI7101DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 35A(Tc) ±25V 3.7W(Ta),52W(Tc) 7.2mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) PowerPak1212-8 30V 35A 7.2mΩ |
暂无价格 | 22 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
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RQ3E120ATTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) HSMT 12A 2W 8mΩ@-12A,-10V 39V ±20V P-Channel |
￥1.76
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32,513 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RQ3E120ATTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) HSMT 12A 2W 8mΩ@-12A,-10V 39V ±20V P-Channel |
￥4.705
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23,995 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RQ3E120ATTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) HSMT 12A 2W 8mΩ@-12A,-10V 39V ±20V P-Channel |
￥4.705
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4,100 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RQ3E120ATTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) HSMT 12A 2W 8mΩ@-12A,-10V 39V ±20V P-Channel |
暂无价格 | 200 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RQ3E120ATTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) HSMT 12A 2W 8mΩ@-12A,-10V 39V ±20V P-Channel |
￥5.9019
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30 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
