SI5515CDC-T1-GE3 与 NTHD3100CT1G 区别
| 型号 | SI5515CDC-T1-GE3 | NTHD3100CT1G | ||||||||||
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| 唯样编号 | A36-SI5515CDC-T1-GE3 | A3t-NTHD3100CT1G | ||||||||||
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 未分类 | ||||||||||
| 描述 | Si5515CDC Series 20 V 36 mOhm 3.1 W Surface Mount N & P-Channel Mosfet | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | 3.1W | - | ||||||||||
| 功率 | - | 1.1W | ||||||||||
| 最大工作温度 | - | + 150 C | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | ± 12 V, ± 8 V | ||||||||||
| Vgs(th) | 800mV @ 250uA | - | ||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 9.6 ns at N Channel, 16 ns at P Channel | ||||||||||
| FET类型 | N+P-Channel | N and P-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 | ChipFET-8 | ||||||||||
| 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | - | 6 S, 8 S | ||||||||||
| 最小工作温度 | - | - 55 C | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 4A | 3.9 A, - 4.4 A | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 配置 | - | Dual Dual Drain | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.2V @ 250µA | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 165pF @ 10V | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 2.3nC @ 4.5V | ||||||||||
| 下降时间 | - | 10.7 ns at N Channel, 11.7 ns at P Channel | ||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 36 mOhms @ 6A,4.5V | 58 m0hms, 64 m0hms | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 3,000 | 0 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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SI5515CDC-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
4A N+P-Channel 36 mOhms @ 6A,4.5V 3.1W 8-SMD,扁平引线 -55°C~150°C 20V |
￥4.008
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3,000 | 当前型号 | ||||||||||||
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NTHD3100CT1G | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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NTHC5513T1G | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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