首页 > 商品目录 > > > > SI4943CDY-T1-GE3代替型号比较

SI4943CDY-T1-GE3  与  IRF7324PBF-1  区别

型号 SI4943CDY-T1-GE3 IRF7324PBF-1
唯样编号 A36-SI4943CDY-T1-GE3 A-IRF7324PBF-1
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual P-Channel 20 V 0.0192 O 62 nC Surface Mount Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Qgd (typ) - 12.0nC
Rds On(Max)@Id,Vgs 19.2 mOhms @ 8.3A,10V 26mΩ
Ptot (@ TA=25°C) max - 2.0W
漏源极电压Vds 20V -20V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 3.1W -
Vgs(th) 3V @ 250uA -
栅极电压Vgs - 12V
RthJA max - 62.5K/W
FET类型 2P-Channel 2P-Channel
封装/外壳 8-SOIC SO-8
连续漏极电流Id 8A -7.1A
工作温度 -50℃~150℃ -
QG - 42.0nC
Tj max - 150.0°C
库存与单价
库存 23 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.5442
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4943CDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

8A 2P-Channel 19.2 mOhms @ 8.3A,10V 3.1W 8-SOIC -50℃~150℃ 20V

¥3.5442 

阶梯数 价格
20: ¥3.5442
23 当前型号
IRF7324PBF-1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

-20V SO-8 2P-Channel 12V -7.1A 26mΩ

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售