SI4943CDY-T1-GE3 与 IRF7314TRPBF 区别
| 型号 | SI4943CDY-T1-GE3 | IRF7314TRPBF | ||||||||
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| 唯样编号 | A36-SI4943CDY-T1-GE3-1 | A-IRF7314TRPBF | ||||||||
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | Dual P-Channel 20 V 0.0192 O 62 nC Surface Mount Mosfet - SOIC-8 | Dual P-Channel 20 V 2 W 19 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 19.2 mOhms @ 8.3A,10V | 58mΩ@2.9A,4.5V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 3.1W | 2W | ||||||||
| Vgs(th) | 3V @ 250uA | - | ||||||||
| FET类型 | 2P-Channel | P-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | 8-SO | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 8A | 5.3A | ||||||||
| 工作温度 | -50°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 系列 | - | HEXFET® | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 700mV @ 250µA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 780pF @ 15V | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 29nC @ 4.5V | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 700mV @ 250µA | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 780pF @ 15V | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 29nC @ 4.5V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 15,911 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SI4943CDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8A 2P-Channel 19.2 mOhms @ 8.3A,10V 3.1W 8-SOIC -50°C~150°C 20V |
￥2.6554
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15,911 | 当前型号 | ||||||||||
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IRF7314TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 58mΩ@2.9A,4.5V 2W P-Channel 20V 5.3A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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