SI4936CDY-T1-GE3 与 NTMD4840NR2G 区别
| 型号 | SI4936CDY-T1-GE3 | NTMD4840NR2G | ||||||||
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| 唯样编号 | A36-SI4936CDY-T1-GE3 | A3t-NTMD4840NR2G | ||||||||
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 未分类 | ||||||||
| 描述 | Dual N-Channel 30 V 0.04 Ohm 2.3 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率 | - | 0.68W | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 40 mOhms @ 5A,10V | 24 毫欧 @ 6.9A,10V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.3W | - | ||||||||
| Vgs(th) | 3V @ 250uA | - | ||||||||
| FET类型 | 2N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | SOIC | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 5.8A | 5.5A | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 520pF @ 15V | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 9.5nC @ 10V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 22,255 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SI4936CDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
5.8A 2N-Channel 40 mOhms @ 5A,10V 2.3W 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
￥2.332
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22,255 | 当前型号 | ||||||||||
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IRF7303TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 50mΩ@2.4A,10V 2W N-Channel 30V 4.9A 8-SO |
暂无价格 | 4,000 | 对比 | ||||||||||
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MMDF3N03HDR2 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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NDS9956 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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NTMD4840NR2G | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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PHN210T,118 | Nexperia | 功率MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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