SI4936CDY-T1-GE3 与 IRF7303TRPBF 区别
| 型号 | SI4936CDY-T1-GE3 | IRF7303TRPBF | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-SI4936CDY-T1-GE3 | A-IRF7303TRPBF | ||||||||
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | Dual N-Channel 30 V 0.04 Ohm 2.3 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 40 mOhms @ 5A,10V | 50mΩ@2.4A,10V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.3W | 2W | ||||||||
| Vgs(th) | 3V @ 250uA | - | ||||||||
| FET类型 | 2N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | 8-SO | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 5.8A | 4.9A | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 系列 | - | HEXFET® | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 520pF @ 25V | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 25nC @ 10V | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 520pF @ 25V | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 25nC @ 10V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 7,340 | 4,000 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 5天 | ||||||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI4936CDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
5.8A 2N-Channel 40 mOhms @ 5A,10V 2.3W 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
￥2.112
|
7,340 | 当前型号 | ||||||||||
|
IRF7303TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 50mΩ@2.4A,10V 2W N-Channel 30V 4.9A 8-SO |
暂无价格 | 4,000 | 对比 | ||||||||||
|
MMDF3N03HDR2 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
|
FDS6961A | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
90m Ohms@3.5A,10V 900mW -55°C~150°C(TJ) SOIC N-Channel 2N-Channel 逻辑电平门 30V 3.5A 90 毫欧 @ 3.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
|
|
SI9936DY | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
|
PHN210T,118 | Nexperia | 功率MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
