尊敬的客户:端午节5月31日至6月2日我司放假,放假期间网站可自助下单,节后将按订单先后顺序安排,给您带来的不便,敬请谅解!
首页 > 商品目录 > > > > SI4909DY-T1-GE3代替型号比较

SI4909DY-T1-GE3  与  DMP4025LSD-13  区别

型号 SI4909DY-T1-GE3 DMP4025LSD-13
唯样编号 A36-SI4909DY-T1-GE3 A-DMP4025LSD-13
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Dual P-Channel 40 V 27 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SOIC-8 MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 27mΩ -
漏源极电压Vds - 40V
Pd-功率耗散(Max) 3.2W 1.8W
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 25mΩ@3A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1640pF @ 20V
FET类型 P-Channel 2P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 33.7nC @ 10V
封装/外壳 SOIC-8 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 8A 6.9A
系列 TrenchFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 20V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 63nC @ 10V -
库存与单价
库存 92 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥4.29
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4909DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

3.2W -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 8A 27mΩ

¥4.29 

阶梯数 价格
20: ¥4.29
92 当前型号
DMP4025LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

2P-Channel 1.8W 8-SO -55℃~150℃(TJ) 40V 6.9A

¥3.19 

阶梯数 价格
20: ¥3.19
100: ¥2.453
1,250: ¥2.134
2,500: ¥2.035
11,053 对比
DMP4025LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

2P-Channel 1.8W 8-SO -55℃~150℃(TJ) 40V 6.9A

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售