SI4835DDY-T1-GE3 与 AO4419 区别
| 型号 | SI4835DDY-T1-GE3 | AO4419 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-SI4835DDY-T1-GE3 | A-AO4419 | ||||||||||
| 制造商 | Vishay | AOS | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | P-Channel 30 V 0.018 Ohm 5.6 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Crss(pF) | - | 125 | ||||||||||
| Td(off)(ns) | - | 26 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 18 mOhms @ 10A,10V | 20mΩ@10V | ||||||||||
| ESD Diode | - | No | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | -30V | ||||||||||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 35mΩ | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta),5.6W(Tc) | 3.1W | ||||||||||
| Qrr(nC) | - | 25 | ||||||||||
| VGS(th) | - | -2.5 | ||||||||||
| Qgd(nC) | - | 4.6 | ||||||||||
| Vgs(th) | 3V @ 250uA | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | 20V | ||||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||||
| Td(on)(ns) | - | 10 | ||||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | SO-8 | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 13A(Tc) | -9.7A | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||||||
| Ciss(pF) | - | 1040 | ||||||||||
| Vgs(最大值) | ±25V | - | ||||||||||
| Schottky Diode | - | No | ||||||||||
| Trr(ns) | - | 11.5 | ||||||||||
| Coss(pF) | - | 180 | ||||||||||
| Qg*(nC) | - | 9.6 | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 12,014 | 0 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SI4835DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
13A(Tc) P-Channel 18 mOhms @ 10A,10V 2.5W(Ta),5.6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
￥1.408
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12,014 | 当前型号 | ||||||||||
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IRF7416TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
20mΩ@5.6A,10V P-Channel 30V 10A 8-SO |
暂无价格 | 4,000 | 对比 | ||||||||||
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AO4419 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 20V -9.7A 3.1W 20mΩ@10V |
￥1.551
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400 | 对比 | ||||||||||
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AO4419 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 20V -9.7A 3.1W 20mΩ@10V |
￥1.2352
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0 | 对比 | ||||||||||
|
IRF9332TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 9.8A 28.1mΩ 2.5W |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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AUIRF7416QTR | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 30V 10A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 20mΩ@5.6A,10V -55°C~150°C(TJ) SO8 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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