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SI4825DDY-T1-GE3  与  DMG4407SSS-13  区别

型号 SI4825DDY-T1-GE3 DMG4407SSS-13
唯样编号 A36-SI4825DDY-T1-GE3 A36-DMG4407SSS-13
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Si4825DDY Series P-Channel 30 V 12.5 mOhm 5 W Surface Mount Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 12.5mΩ 11mΩ@12A,20V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.7W(Ta),5W(Tc) 1.45W(Ta)
栅极电压Vgs ±25V ±25V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOIC-8 SO
连续漏极电流Id 10.9A 9.9A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -50°C~150°C(TJ)
系列 TrenchFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2550pF @ 15V 2246pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 86nC @ 10V 20.5nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 6V,10V
库存与单价
库存 1,945 2,556
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
30+ :  ¥2.134
100+ :  ¥1.65
1,250+ :  ¥1.43
30+ :  ¥2.002
100+ :  ¥1.54
1,250+ :  ¥1.342
2,500+ :  ¥1.265
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4825DDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 14.9A(Tc) ±25V 2.7W(Ta),5W(Tc) 12.5mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 30V 10.9A 12.5mΩ

¥2.134 

阶梯数 价格
30: ¥2.134
100: ¥1.65
1,250: ¥1.43
1,945 当前型号
DMG4407SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±25V 1.45W(Ta) 11mΩ@12A,20V -50°C~150°C(TJ) SO P-Channel 30V 9.9A

¥2.002 

阶梯数 价格
30: ¥2.002
100: ¥1.54
1,250: ¥1.342
2,500: ¥1.265
2,556 对比
DMG4407SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±25V 1.45W(Ta) 11mΩ@12A,20V -50°C~150°C(TJ) SO P-Channel 30V 9.9A

暂无价格 0 对比
AO4335 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V 25V -10.5A 3.1W 18mΩ@10V

暂无价格 0 对比
AO4435L_102 AOS  数据手册 功率MOSFET

10.5A(Ta) P-Channel ±25V 14 mΩ @ 11A,20V 8-SO 3.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
DMG4407SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±25V 1.45W(Ta) 11mΩ@12A,20V -50°C~150°C(TJ) SO P-Channel 30V 9.9A

暂无价格 0 对比

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