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SI4825DDY-T1-GE3  与  AO4335  区别

型号 SI4825DDY-T1-GE3 AO4335
唯样编号 A36-SI4825DDY-T1-GE3 A-AO4335
制造商 Vishay AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Si4825DDY Series P-Channel 30 V 12.5 mOhm 5 W Surface Mount Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 155
Rds On(Max)@Id,Vgs 12.5mΩ 18mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 36mΩ
Qgd(nC) - 3.3
栅极电压Vgs ±25V 25V
Td(on)(ns) - 8.7
封装/外壳 SOIC-8 SO-8
连续漏极电流Id 10.9A -10.5A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
Ciss(pF) - 1130
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 25
Td(off)(ns) - 18
漏源极电压Vds 30V -30V
Pd-功率耗散(Max) 2.7W(Ta),5W(Tc) 3.1W
Qrr(nC) - 12
VGS(th) - -3
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 TrenchFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2550pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 86nC @ 10V -
Coss(pF) - 240
Qg*(nC) - 9.5
库存与单价
库存 1,945 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥2.134
100+ :  ¥1.65
1,250+ :  ¥1.43
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4825DDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 14.9A(Tc) ±25V 2.7W(Ta),5W(Tc) 12.5mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 30V 10.9A 12.5mΩ

¥2.134 

阶梯数 价格
30: ¥2.134
100: ¥1.65
1,250: ¥1.43
1,945 当前型号
DMG4407SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±25V 1.45W(Ta) 11mΩ@12A,20V -50°C~150°C(TJ) SO P-Channel 30V 9.9A

¥2.002 

阶梯数 价格
30: ¥2.002
100: ¥1.54
1,250: ¥1.342
2,500: ¥1.265
2,556 对比
DMG4407SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±25V 1.45W(Ta) 11mΩ@12A,20V -50°C~150°C(TJ) SO P-Channel 30V 9.9A

暂无价格 0 对比
AO4335 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V 25V -10.5A 3.1W 18mΩ@10V

暂无价格 0 对比
AO4435L_102 AOS  数据手册 功率MOSFET

10.5A(Ta) P-Channel ±25V 14 mΩ @ 11A,20V 8-SO 3.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
DMG4407SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±25V 1.45W(Ta) 11mΩ@12A,20V -50°C~150°C(TJ) SO P-Channel 30V 9.9A

暂无价格 0 对比

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