SI4634DY-T1-GE3 与 IRF8736PBF 区别
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规格信息
型号	SI4634DY-T1-GE3	IRF8736PBF
唯样编号	A36-SI4634DY-T1-GE3	A-IRF8736PBF
制造商	Vishay	Infineon Technologies
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	通用MOSFET	功率MOSFET
描述		Single N-Channel 30 V 2.5 W 17 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表	si4634dy.pdf	IRF8736PBF.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
Rds On(Max)@Id,Vgs	5.2 mOhms @ 15A,10V	4.8mΩ@18A,10V
漏源极电压Vds	30V	30V
Pd-功率耗散(Max)	2.5W(Ta),5.7W(Tc)	2.5W(Ta)
Vgs(th)	2.6V @ 250uA	-
栅极电压Vgs	-	±20V
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	-	4.5V
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	8-SOIC	8-SO
连续漏极电流Id	24.5A(Tc)	18A
工作温度	-55°C~150°C	-55°C~150°C(TJ)
系列	-	HEXFET®
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	-	15V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	-	2.35V @ 50µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	-	2315pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	-	26nC @ 4.5V
Vgs(最大值)	±20V	-
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	-	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-	2.35V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-	2315pF
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	-	26nC
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	3 - 15天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	操作
SI4634DY-T1-GE3	Vishay	数据手册	通用MOSFET	24.5A(Tc) N-Channel 5.2 mOhms @ 15A,10V 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 30V	暂无价格	当前型号
IRF7832PBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 2.5W(Ta) -55°C~155°C(TJ) 4mΩ@20A,10V N-Channel 30V 20A 8-SO	暂无价格	对比
IRF8736PBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 4.8mΩ@18A,10V N-Channel 30V 18A 8-SO	暂无价格	对比
IRF8736TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 4.8mΩ@18A,10V N-Channel 30V 18A 8-SO	暂无价格	对比
AO4494	AOS	数据手册	功率MOSFET	SO-8 N-Channel 30V 20V 18A 3.1W 6.5mΩ@10V	暂无价格	对比
AO4498	AOS	数据手册	功率MOSFET	SO-8 N-Channel 30V 20V 18A 3.1W 5.5mΩ@10V	暂无价格	对比