SI4634DY-T1-GE3 与 AO4498 区别
| 型号 | SI4634DY-T1-GE3 | AO4498 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-SI4634DY-T1-GE3 | A-AO4498 |
| 制造商 | Vishay | AOS |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | - | 227 |
| Td(off)(ns) | - | 29 |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 5.2 mOhms @ 15A,10V | 5.5mΩ@10V |
| ESD Diode | - | No |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Rds On(Max)@4.5V | - | 7.5mΩ |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta),5.7W(Tc) | 3.1W |
| Qrr(nC) | - | 40 |
| VGS(th) | - | 2.5 |
| Qgd(nC) | - | 11 |
| Vgs(th) | 2.6V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | 20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| Td(on)(ns) | - | 8.1 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC | SO-8 |
| 连续漏极电流Id | 24.5A(Tc) | 18A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | - |
| Ciss(pF) | - | 1910 |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| Schottky Diode | - | No |
| Trr(ns) | - | 14 |
| Coss(pF) | - | 316 |
| Qg*(nC) | - | 18 |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI4634DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
24.5A(Tc) N-Channel 5.2 mOhms @ 15A,10V 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IRF7832PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~155°C(TJ) 4mΩ@20A,10V N-Channel 30V 20A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRF8736PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 4.8mΩ@18A,10V N-Channel 30V 18A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRF8736TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 4.8mΩ@18A,10V N-Channel 30V 18A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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AO4494 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 18A 3.1W 6.5mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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AO4498 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 18A 3.1W 5.5mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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